| 1. Identificação | |
| Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) |
| Site | plutao.sid.inpe.br |
| Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
| Identificador | J8LNKAN8RW/3D53CNL |
| Repositório | dpi.inpe.br/plutao/2012/11.28.15.12 (acesso restrito) |
| Última Atualização | 2015:03.17.18.42.11 (UTC) administrator |
| Repositório de Metadados | dpi.inpe.br/plutao/2012/11.28.15.12.41 |
| Última Atualização dos Metadados | 2018:06.05.00.02.01 (UTC) administrator |
| Chave Secundária | INPE--PRE/ |
| DOI | 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.197 |
| Rótulo | lattes: 4359261479122193 6 MedeirosPPFSSSMM:2012:SiThFi |
| Chave de Citação | MedeirosPSFSSMM:2012:SiThFi |
| Título | SixCy Thin Films Deposited at Low Temperature by Dual DC Magnetron Sputtering:Effect of Power Supplied to Si and C Cathode Targets on Film Physicochemical Properties  |
| Ano | 2012 |
| Data de Acesso | 30 abr. 2024 |
| Tipo de Trabalho | journal article |
| Número de Arquivos | 1 |
| Tamanho | 419 KiB |
| 2. Contextualização | |
| Autor | 1 Medeiros, Henrique Souza 2 Pessoa, Rodrigo Savio 3 Sagás, J. C. 4 Fraga, Mariana A 5 Santos, Lúcia Vieira 6 Silva Sobrinho, Argemiro S da 7 Massi, Marcos 8 Maciel, Homero S. |
| Grupo | 1 2 3 4 5 LAS-CTE-INPE-MCTI-GOV-BR |
| Afiliação | 1 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 2 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 3 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 4 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 6 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 7 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) 8 Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) |
| Endereço de e-Mail do Autor | 1 henrique_sm_@hotmail.com 2 rodrigopessoa@gmail.com 3 jcsagas@pop.com.br 4 mafraga@ita.br 5 lucia.vieira@univap.br 6 argemiro@ita.br 7 massi@ita.br 8 homero@ita.br |
| Endereço de e-Mail | lucia.vieira@univap.br |
| Revista | Materials Science Forum. Silicon Carbide and Releted Material Book Series |
| Volume | 717 - 720 |
| Número | PTS 1 AND 2 |
| Páginas | 197-201 |
| Histórico (UTC) | 2012-11-28 23:06:25 :: lattes -> administrator :: 2012 2012-11-30 03:39:51 :: administrator -> marciana :: 2012 2013-02-04 17:12:27 :: marciana -> administrator :: 2012 2018-06-05 00:02:01 :: administrator -> marciana :: 2012 |
| 3. Conteúdo e estrutura | |
| É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
| Estágio do Conteúdo | concluido |
| Transferível | 1 |
| Tipo do Conteúdo | External Contribution |
| Tipo de Versão | publisher |
| Palavras-Chave | Chemistry Analysis DC Dual Magnetron Sputtering FilmStoichiometry Low Temperature Deposition Silicon Carbide Thin Films |
| Resumo | A DC dual magnetron sputtering system with graphite (C) and silicon (Si) targets was used to grow stoichiometric and non-stoichiometric silicon carbide (SixCy) thin films at low temperature. Two independently DC power sources were used to enable the total discharge power be shared, under certain proportions, between the Si and C magnetron cathodes. The motivation was to control the sputtering rate of each target so as to vary the stoichiometric ratio x/y of the deposited films. The species content, thickness and chemical bonds of as-deposited SixCy films were studied by Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), profilometry analysis and Fourier transform infrared absorption (FTIR), respectively. Overall, the present work reveals a new reliable plasma sputtering technique for low temperature growth of amorphous SixCy thin films with the capability of tuning the degree of formation of a-SiC, a-Si and a-C bonds in the film bulk. |
| Área | ETES |
| Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > SixCy Thin Films... |
| Conteúdo da Pasta doc | acessar |
| Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
| Conteúdo da Pasta agreement | não têm arquivos |
| 4. Condições de acesso e uso | |
| Idioma | en |
| Arquivo Alvo | medeiros_sixcy.pdf |
| Grupo de Usuários | administrator lattes marciana |
| Grupo de Leitores | administrator marciana |
| Visibilidade | shown |
| Permissão de Leitura | deny from all and allow from 150.163 |
| Permissão de Atualização | não transferida |
| 5. Fontes relacionadas | |
| Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 |
| Acervo Hospedeiro | dpi.inpe.br/plutao@80/2008/08.19.15.01 |
| 6. Notas | |
| Notas | 14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011) Location: Cleveland, OH Date: SEP 11-16, 2011 |
| Campos Vazios | alternatejournal archivingpolicy archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination format isbn issn lineage mark mirrorrepository month nextedition orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark secondarytype session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url |
| 7. Controle da descrição | |
| e-Mail (login) | marciana |
| atualizar | |